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Scritto da Gianvi
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Lunedì 30 Aprile 2007 13:26 |
Samsung ha annunciato l'avvio della produzione di massa di memorie NAND flash da ben 16 Gigabit. Si tratta del più capiente taglio al momento disponibile, realizzato con un sofisticato processo produttivo a 51 nanometri. Quest'ultimo consente una riduzione degli ingombri di oltre il 60 percento rispetto alla più classica realizzazione a 60 nanometri.
La medesima tecnologia era già stata preannunciata da Toshiba nelle scorse settimane (qui la nostra anticipazione), ma Samsung ha bruciato le tappe divenendo il primo OEM capace di rendere effettivamente disponibili sul mercato queste memorie ad alta capacità.
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I chip da 16 Gigabit hanno una struttura a celle multilivello (MLC) e promettono performance di tutto rispetto, con velocità in lettura e scrittura superiori di circa l'80 percento alle attuali memorie NAND.
Il gigante taiwanese ha già già iniziato la fabbricazione in volumi industriali dei nuovi chipset, destinati all'utilizzo nei dispositivi tascabili di prossima generazione.
{mossource} Aving
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